電子工学　暗記

(えみったべーすかんのぴーえぬせつごうはじゅんばいあすほうこうである．)

エミッタベース間のpn接合は順バイアス方向である．

(たすうきゃりやがかくさんでいどうする．)

多数キャリヤが拡散で移動する．

(えみったのふじゅんぶつみつどがべーすよりもはるかにおおきい．)

エミッタの不純物密度がベースよりもはるかに大きい．

(よって，べーすからえみったにいどうするきゃりやはむしできるから)

よって，ベースからエミッタに移動するキャリヤは無視できるから

(えみったからべーすへむかうじゆうでんしのみをかんがえる．)

エミッタからベースへ向かう自由電子のみを考える．

(このときえみったりょういきでふそくしたじゆうでんしは)

この時エミッタ領域で不足した自由電子は

(でんげんｖｅからふでんかとしてほきゅうされる．)

電源Veから負電荷として補給される．

(これは，そとむきにながれるえみったでんりゅうｉｅである．)

これは，外向きに流れるエミッタ電流Ieである．

(べーすりょういきにでんかいはかからない．よってどりふとによるきゃりやいどうがない．)

ベース領域に電界はかからない．よってドリフトに夜キャリヤ移動がない．

(そもそもべーすりょういきは，じゆうでんしはしょうすうきゃりやでじゆうでんしはほとんどない．)

そもそもベース領域は，自由電子は少数キャリヤで自由電子はほとんどない．

(べーすりょういきにはじゆうでんしがえみったからりゅうにゅうするので)

ベース領域には自由電子がエミッタから流入するので

(べーすりょういきちゅうのえみったがわでじゆうでんしのみつどがたかくなる．)

ベース領域中のエミッタ側で自由電子の密度が高くなる．

(でんかいはないものの，かくさんによってきゃりやがいどうする．)

電界はないものの，拡散によってキャリヤが移動する．

(このいどうちゅうにべーすりょういきのたすうきゃりやであ)

この移動中にベース領域の多数キャリヤであ

(せいこうとさいけつごうするじゆうでんしがでてくる．)

正孔と再結合する自由電子が出てくる．

(さいけつごうでふそくしたせいこうはでんげんｖｅからせいでんかとしてほきゅうされる．)

再結合で不足した正孔は電源Veから正電荷として補給される．

(これはうちむきにながれるでんりゅうｉｂである．)

これは内向きに流れる電流Ibである．

(ただしばいぽーらとらんじすたのこうぞうじょう，)

但しバイポーラトランジスタの構造上，

(えみったのりゅうにゅうしたじゆうでんしの９９％いじょうが)

エミッタの流入した自由電子の99％以上が

(さいけつごうせずにべーすこれくたかんのぴーえぬせつごうにたっする．)

再結合せずにベースコレクタ間のpn接合に達する．