半導体　２

(ただしそのそくばくはよわく、げるまにうむのｎかたはんどうたいでは、)

ただしその束縛は弱く、ゲルマニウムのn型半導体では、

(でんしそくばくえねるぎー＝－０．０１ｅｖ、)

電子束縛エネルギー = -0.01 eV、

(ぼーあはんけい＝４．２ｎｍていどであるため、)

ボーア半径 = 4.2 nm 程度であるため、

(けっしょうないのげんしかんきょり０．２５ｎｍ、しつおんでのねつれいきは)

結晶内の原子間距離 0.25 nm、室温での熱励起は

(やく０．０２５ｅｖていどでは)

約 0.025 eV 程度では

(たんどくげんしのそくばくをはなれてけっしょうのげんしどうしかんをじゆうにうごき、これらのげんしは)

単独原子の束縛を離れて結晶の原子同士間を自由に動き、これらの原子は

(たがいのでんしをきょうゆうするじょうたいとなる。ばんどこうぞうでいえばつうじょう、)

互いの電子を共有する状態となる。 バンド構造で言えば通常、

(どーぱんとげんしはきんせいたいのじょうたんふきんにどなーじゅんいをけいせいし、)

ドーパント原子は禁制帯の上端付近にドナー準位を形成し、

(そこからねつえねるぎーにてでんどうたいへれいきされる。ふぇるみじゅんいは)

そこから熱エネルギーにて伝導帯へ励起される。フェルミ準位は

(きんせいおびちゅうのどなーじゅんいにちかいいちになる。)

禁制帯中のドナー準位に近い位置になる。

(ｐかたはんどうたい)

p 型半導体

(ｐかたはんどうたい)

p型半導体

(しりこん（ｓｉ）にほうそ（ｂ）をどーぷしたれい。)

シリコン（Si）にホウ素（B）をドープした例。

(でんあつがかけられるとせいこうのいどうによってでんかがはこばれるはんどうたいである。)

電圧がかけられると正孔の移動によって電荷が運ばれる半導体である。

(かすうのすくないげんそをどーぴんぐすることでつくられる。たとえばしりこん)

価数の少ない元素をドーピングすることで作られる。例えばシリコン

(（４か）のけっしょうにほうそなどの３かのげんしをまぜることでｐかたとなる。)

（4価）の結晶にホウ素などの3価の原子を混ぜることでp型となる。

(でんしがでんどうおびがわにせんいしてかでんしおびがわのでんしがふそくすることでしょうじる)

電子が伝導帯側に遷移して価電子帯側の電子が不足することで生じる

(でんしきどうじょうのくうげきがせいこうとなる。けっしょうのげんしどうしかんのじゆうでんしが)

電子軌道上の空隙が正孔となる。結晶の原子同士間の自由電子が

(となりのせいこうにいどうすることでせいこうのいちはじゆうにいどうでき、)

隣の正孔に移動することで正孔の位置は自由に移動でき、

(でんあつにおうじてでんしとはぎゃくほうこうへながれる。いどうどはでんしにくらべておとる。)

電圧に応じて電子とは逆方向へ流れる。移動度は電子に比べて劣る。